ACUERDO ENTRE ACADEMIAS DIPLOMÁTICAS DE MÉXICO Y REINO UNIDO


LONDRES, Reino Unido, 28 de septiembre de 2015.- Los embajadores de México en el Reino Unido, Diego Gómez Pickering, y del Reino Unido en México, Duncan Taylor, firmaron el Memorándum de Entendimiento sobre Colaboración Académico-Diplomática entre la Secretaría de Relaciones Exteriores de México (SRE) y la Oficina de Asuntos Exteriores y de la Mancomunidad del Reino Unido.

El acuerdo promoverá la colaboración académica y el intercambio de experiencias y buenas prácticas entre la recién formada Academia Diplomática del Reino Unido y el Instituto Matías Romero (IMR), que encabezan Jon Davies y el Embajador Alfonso de María y Campos, respectivamente.

Así, el 21 de septiembre pasado, en el marco de la celebración del evento intitulado “Dos Embajadores” que organiza anualmente la Sociedad Mexico-Británica para intercambiar puntos de vista sobre los principales acontecimientos de la relación bilateral a lo largo del año, el Director de la Academia Británica, Jon Davies, atestiguó la firma como invitado de honor y aprovechó la ocasión para destacar que es éste es el primero que suscribe la institución británica.

Por su parte, el Embajador Gómez Pickering destacó que desde su fundación en 1974 el IMR se ha consolidado como una institución de excelencia a nivel internacional en la capacitación de diplomáticos mexicanos y extranjeros, así como de funcionarios de la SRE.

Durante la reunión, los representantes diplomáticos coincidieron en destacar la gran importancia que ha tenido el Año de México en Reino Unido y el Año del Reino Unido en México para acercar a ambos países y fortalecer los diversos aspectos de su relación bilateral.

Entre las actividades más relevantes, destacaron la visita a México de Su Alteza Real del Príncipe de Gales y su esposa la duquesa de Cornwall, en noviembre de 2014 y la visita de Estado que realizó el Presidente Enrique Peña Nieto al Reino Unido del 3 al 5 de marzo de 2015, atendiendo la invitación de Su Majestad la Reina Isabel II.

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